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GaN HEMT

GaN級聯結構，兼具Si MOS器件易于驅動（與傳統Si器件驅動兼容度高）、柵壓驅動范圍寬（±20V）、
柵極可靠性高等優勢和GaN器件高耐壓、低導通電阻、高開關速度等優勢。

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